应用晶圆级芯片规模封装



应用晶圆级芯片规模封装
本文的数据表明,局部再结晶晶粒的分布是焊点生命周期退化和增强的准确指标。
分析实验室

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由:


Tae-Kyu Lee博士。
波特兰州立大学
波特兰,或美国

Kola Akinade博士,Cherif Guirgis, Weidong Xie,和Steven Perng博士
思科系统公司
美国加利福尼亚州圣何塞

Edward Ibe和Karl Loh
Zymet
美国新泽西州汉诺威东部

总结


本文的数据表明,局部再结晶晶粒的分布是焊点生命周期退化和增强的准确指标。监测分布是一种新的分析方法。在一系列截面分析中,研究了高温环境与热循环引起的裂纹扩展之间的关系。印刷电路板的设计是通过在PCB内部嵌入加热元件,在热循环过程中提供更高的温度。局部加热的WLCSP模拟活性组分,由于较高的蠕变速率,降低了寿命周期,这对裂纹扩展产生了负面影响。可重熔边缘粘结材料的应用提高了热循环疲劳性能。

使用可重新加工的边缘粘结剂提高了常温和高温热循环的使用寿命。监测局部再结晶晶粒的分布是一种很有前途的收集预测生命周期数据的方法。本文讨论了可重熔边键的整体性能,在高温环境下的热循环作用下对WLCSP结构的稳定性有较好的增强作用。

结论


本文的数据表明,局部再结晶晶粒的分布是焊点生命周期退化和增强的准确指标。监测分布是一种新的分析方法。在一系列截面分析中,研究了高温环境与热循环引起的裂纹扩展之间的关系。印刷电路板的设计是通过在PCB内部嵌入加热元件,在热循环过程中提供更高的温度。WLCSP的局部加热,以模拟活性组分,由于较高的蠕变率,降低了寿命周期。较高的蠕变速率对裂纹扩展产生了负面影响。可重熔边缘粘结材料的应用提高了热循环疲劳性能。边缘粘结材料在边缘排提供稳定性,并将变形和损伤积累位置转移到组件内部位于焊点的位置。通过晶粒细化观察到的损伤累积迹象告诉我们缺陷的累积和变形发生在哪里。监测再结晶晶粒的局部分布是一种很有前途的方法来收集预测生命周期数据。

最初发表在SMTA学报上

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